[发明专利]SiC外延晶片及其制造方法、以及SiC外延晶片的制造装置

摘要

本发明的SiC外延晶片的制造方法，包括：使用SiC外延晶片的制造装置，一边向腔室内供给原料气体，一边制造在SiC单晶晶片的面上具有SiC外延层的SiC外延晶片的工序；和对于之前制造出的SiC外延晶片的SiC外延层，测定了以腔室内的构件的材料片为起点的三角缺陷的面密度后，制造下一个SiC外延晶片的工序。

主权项

一种SiC外延晶片的制造方法，包括：使用SiC外延晶片的制造装置，一边向腔室内供给原料气体，一边制造在SiC单晶晶片的面上具有SiC外延层的SiC外延晶片的工序；和对于之前制造出的SiC外延晶片的SiC外延层，测定以腔室内的构件的材料片为起点的三角缺陷的面密度后，制造下一个SiC外延晶片的工序，所述三角缺陷的面密度的测定，通过使用光学显微镜将焦点的位置从SiC外延晶片的SiC外延层的表面向SiC外延层与SiC单晶晶片的界面偏移，来发现以腔室内构件的材料片为起点的三角缺陷，对其进行计测，所述SiC外延晶片的制造装置，具备：基座，其具有载置晶片的晶片载置部；顶板，其与所述基座的上表面相对配置以在与所述基座之间形成反应空间；和遮蔽板，其以阻止堆积物附着在所述顶板的下表面的程度，与所述顶板的下表面接近配置，所述遮蔽板由碳化硅形成、或者所述遮蔽板的与所述基座相对的面利用碳化硅膜或热分解碳膜被覆，所述测定的结果，在以腔室内的构件的材料片为起点的三角缺陷的面密度超过0.25个/cm²的情况下，将所述遮蔽板交换为新的遮蔽板后制造下一个SiC外延晶片。