[发明专利]用于生长III-V外延层的方法在审
申请号: | 201280035896.6 | 申请日: | 2012-07-06 |
公开(公告)号: | CN103765592A | 公开(公告)日: | 2014-04-30 |
发明(设计)人: | J·德鲁恩;S·迪格鲁特;M·杰曼 | 申请(专利权)人: | 埃皮根股份有限公司 |
主分类号: | H01L29/06 | 分类号: | H01L29/06;H01L29/778 |
代理公司: | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人: | 张欣 |
地址: | 比利时*** | 国省代码: | 比利时;BE |
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摘要: | 本发明涉及一种在衬底上生长III-V外延层的方法、一种半导体结构、以及包括这样的结构的设备,该半导体结构包括衬底、在衬底的顶部的缓冲层,其中,导电路径出现在衬底和缓冲层之间,其特征在于,该导电路径由一个或多个局部隔离阻断。当在Si衬底上沉积例如III-N外延层时,从沉积A1N层开始生长来抑制Si衬底的所谓“Ga回熔”。在Si和A1N间的界面处,由于在界面处的能带排列或Ga扩散到Si中,形成导电层。这一导电层对在Si上的这样的III-N缓冲层顶部构建的设备的射频操作和高压操作两者都是有害的。 | ||
搜索关键词: | 用于 生长 iii 外延 方法 | ||
【主权项】:
一种制造半导体结构的方法,包括‑提供衬底,例如Si、SiGe、Ge、绝缘体上的Si、绝缘体衬底上的Ge、及其组合,优选地是诸如<111>Si衬底等的Si衬底,‑在所述衬底的顶部提供外延半导体缓冲层,例如诸如III氮化物层等的III‑V缓冲层,由此获得在所述缓冲层和所述衬底之间的导电界面;‑在所述导电界面处且部分地在所述衬底中,形成一个或多个局部电绝缘,以便阻断在所述导电界面处的电流;以及‑把所述一个或多个局部电绝缘与设备放置在一起,以使得至少一个所述局部电绝缘中定位在所述设备的高电压端和低电压端之间。
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