[发明专利]用于通断电流的电路装置以及用于运行半导体断路器的方法

摘要

在借助半导体断路器（44）通断电流（Ic）时可以设置，即通过控制电路（42）在通断信号的通断边沿产生在半导体断路器（44）的控制输入端（50）处的控制电压，该控制电压具有与通断信号的特性变化曲线相比平缓的曲线。这种解决方案的缺点是，在持续时间内控制电压仅仅缓慢地以平缓的曲线下降，在这段持续时间内半导体断路器（44）的通断损耗是非常高的。本发明的目的在于，在半导体断路器（44）中降低通断损耗。在根据本发明的电路装置中可以预定用于控制电路（42）的控制装置（56）的通断参数的数值，通过该数值能够影响控制电路（42）的开关特性。在此在运行控制电路（42）期间能够改变开关参数的具体的参数值。

主权项

一种用于根据能预定的通断信号来通断电流（Ic）的电路装置，所述电路装置包括：‑用于通断所述电流（Ic）的半导体断路器（44）以及‑控制装置（42，78，96，106），所述控制装置设计用于接收所述通断信号并且根据接收到的所述通断信号在所述半导体断路器（44）的控制输入端（50）处产生具有时间变化曲线的控制电压，通过所述时间变化曲线引起，即在通断过程期间所述半导体断路器（44）的、至少一个预确定的运行参数（Uce,max，dIoff/dt，dUoff/dt，dIon/dt，dUon/dt）满足预确定的标准，其中所述标准通过所述控制装置（42，78，96，106）的通断参数（Uce,max，dIoff/dt，dUoff/dt，dIon/dt，dUon/dt）来预定并且在运行所述电路装置期间能够改变所述通断参数（Uce,max，dIoff/dt，dUoff/dt，dIon/dt，dUon/dt）的参数值。