[发明专利]自组装层在检查有机晶体管的阈值电压中的用途无效
申请号: | 201280036160.0 | 申请日: | 2012-07-20 |
公开(公告)号: | CN103718318A | 公开(公告)日: | 2014-04-09 |
发明(设计)人: | J-P·西蒙纳托;C·塞勒 | 申请(专利权)人: | 原子能与替代能源委员会 |
主分类号: | H01L51/10 | 分类号: | H01L51/10 |
代理公司: | 上海一平知识产权代理有限公司 31266 | 代理人: | 崔佳佳;马莉华 |
地址: | 法国*** | 国省代码: | 法国;FR |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明涉及一种电子装置,所述电子装置包含至少2个具有不同阈值电压的有机晶体管。该装置包含至少2个晶体管,各晶体管包含偶极矩的相互差值的绝对值在0.2-10德拜间的分子的自组装层。本发明尤其适用于电子电路生产领域。 | ||
搜索关键词: | 组装 检查 有机 晶体管 阈值 电压 中的 用途 | ||
【主权项】:
一种电子装置,所述电子装置包含具有阈值电压V1的第一有机晶体管,和具有阈值电压V2的至少一个第二有机晶体管,其中,V1和V2彼此相差至少0.2V的数值,第一和第二晶体管各自在介电材料层的顶部包含半导体材料层,其特征在于,之上,所述装置还包括:-具有一第一偶极矩M1的分子的第一自组装分子层,位于介电材料层和第一有机晶体管的半导体材料层之间,和-具有第二偶极矩M2的分子的第二自组装分子层,位于介电材料层和第二有机晶体管的半导体材料层之间,且其中偶极矩M1和偶极矩M2之差的绝对值|M1‑M2|在0.2‑10德拜单位之间。
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