[发明专利]半导体基板及其制造方法、太阳能电池元件、以及太阳能电池

摘要

本发明提供一种半导体基板，其具有半导体层和杂质扩散层，所述杂质扩散层含有：选自K、Na、Li、Ba、Sr、Ca、Mg、Be、Zn、Pb、Cd、V、Sn、Zr、Mo、La、Nb、Ta、Y、Ti、Zr、Ge、Te及Lu中的至少一种金属原子；以及选自n型杂质原子及p型杂质原子中的至少一种杂质原子。

主权项

1.一种半导体基板，其具有半导体层和杂质扩散层，所述杂质扩散层含有：选自K、Na、Li、Ba、Sr、Ca、Mg、Be、Zn、Pb、Cd、V、Sn、Zr、Mo、La、Nb、Ta、Y、Ti、Zr、Ge、Te及Lu中的至少一种金属原子；以及选自n型杂质原子及p型杂质原子中的至少一种杂质原子，所选的金属原子用于使所述杂质扩散层中的应变松弛，具有高杂质浓度的所述杂质扩散层形成于半导体基板的电极形成预定区域，具有低杂质浓度的所述杂质扩散层形成于半导体基板的受光区域，选自K、Na、Li、Ba、Sr、Ca、Mg、Be、Zn、Pb、Cd、V、Sn、Zr、Mo、La、Nb、Ta、Y、Ti、Zr、Ge、Te及Lu中的至少一种金属原子包含于具有高杂质浓度的所述杂质扩散层，选自K、Na、Li、Ba、Sr、Ca、Mg、Be、Zn、Pb、Cd、V、Sn、Zr、Mo、La、Nb、Ta、Y、Ti、Zr、Ge、Te及Lu中的至少一种金属原子不包含于具有低杂质浓度的所述杂质扩散层。