[发明专利]使用具有等离子体蚀刻的混合式电流激光划线制程的晶片切割无效
| 申请号： | 201280036369.7 | 申请日： | 2012-05-31 |
| 公开（公告）号： | CN103703546A | 公开（公告）日： | 2014-04-02 |
| 发明（设计）人： | W-S·类;S·辛格;M·R·亚拉曼希里;B·伊顿;A·库玛 | 申请（专利权）人： | 应用材料公司 |
| 主分类号： | H01L21/301 | 分类号： | H01L21/301 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人： | 胡林岭 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 兹描述切割半导体晶片的方法，每一晶片具有多个集成电路。方法包括形成掩模于半导体晶片上。掩模由覆盖及保护集成电路的层组成。接着以电流激光划线制程图案化掩模，以提供具有间隙的图案化掩模。图案化露出集成电路间的半导体晶片区域。接着经由图案化掩模的间隙蚀刻半导体晶片，以单粒化集成电路。 | ||
| 搜索关键词： | 使用 具有 等离子体 蚀刻 混合式 电流 激光 划线 晶片 切割 | ||
【主权项】：
一种切割半导体晶片的方法，所述半导体晶片包含多个集成电路，所述方法包含以下步骤：在所述半导体晶片上形成掩模，所述掩模包含覆盖及保护所述多个集成电路的层；以电流激光划线制程图案化所述掩模，以提供具有多个间隙的图案化掩模，而在所述多个集成电路间露出所述半导体晶片的多个区域；以及经由所述图案化掩模的所述多个间隙来蚀刻所述半导体晶片，以单粒化所述多个集成电路。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
