[发明专利]用于选择性氮化工艺的方法与设备有效

专利信息
申请号: 201280036980.X 申请日: 2012-06-29
公开(公告)号: CN103718278A 公开(公告)日: 2014-04-09
发明(设计)人: 马修·S·罗杰斯;罗杰·柯蒂斯;劳拉·郝勒查克;肯·旷·赖;伯纳德·L·黄;杰弗里·托宾;克里斯托弗·S·奥尔森;马尔科姆·J·贝文 申请(专利权)人: 应用材料公司
主分类号: H01L21/318 分类号: H01L21/318;H01L21/3065;H01L21/8247;H01L27/115
代理公司: 北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006 代理人: 徐金国;赵静
地址: 美国加利*** 国省代码: 美国;US
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摘要: 发明的实施方式提供用于堆叠的材料的氮化作用的改良设备与方法。在一个实施方式中,远程等离子体系统包括远程等离子体腔室、处理腔室与输送构件,远程等离子体腔室界定第一区,第一区用于产生包括离子与游离基团的等离子体,处理腔室界定第二区,第二区用于处理半导体器件,处理腔室包括进入口端口,进入口端口形成于处理腔室的侧壁中,进入口端口与第二区流体连通,输送构件设置在远程等离子体腔室与处理腔室之间,且输送构件具有与第一区与进入口端口流体连通的通道,其中输送构件被配置以致通道的纵轴相对于进入口端口的纵轴以约20度至约80度的角度相交。
搜索关键词: 用于 选择性 氮化 工艺 方法 设备
【主权项】:
一种远程等离子体系统,包括:远程等离子体腔室,所述远程等离子体腔室界定第一区,所述第一区用于产生包括离子与游离基团的等离子体;处理腔室,所述处理腔室界定第二区,所述第二区用于处理半导体器件,所述处理腔室包括进入口端口,所述进入口端口形成在所述处理腔室的侧壁中,所述进入口端口与所述第二区流体连通;及输送构件,所述输送构件用于从所述远程等离子体腔室输送等离子体物种至所述处理腔室,所述输送构件包括主体,所述主体在所述主体中界定纵向延伸通道,所述主体具有连接至所述第一区的第一端以及连接至所述第二区的第二端,所述第二端与所述第一端相对,其中所述通道耦接至所述处理腔室的所述进入口端口,以致所述通道的纵轴相对于所述进入口端口的纵轴以一角度相交。
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