[发明专利]用于选择性氮化工艺的方法与设备有效
申请号: | 201280036980.X | 申请日: | 2012-06-29 |
公开(公告)号: | CN103718278A | 公开(公告)日: | 2014-04-09 |
发明(设计)人: | 马修·S·罗杰斯;罗杰·柯蒂斯;劳拉·郝勒查克;肯·旷·赖;伯纳德·L·黄;杰弗里·托宾;克里斯托弗·S·奥尔森;马尔科姆·J·贝文 | 申请(专利权)人: | 应用材料公司 |
主分类号: | H01L21/318 | 分类号: | H01L21/318;H01L21/3065;H01L21/8247;H01L27/115 |
代理公司: | 北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006 | 代理人: | 徐金国;赵静 |
地址: | 美国加利*** | 国省代码: | 美国;US |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明的实施方式提供用于堆叠的材料的氮化作用的改良设备与方法。在一个实施方式中,远程等离子体系统包括远程等离子体腔室、处理腔室与输送构件,远程等离子体腔室界定第一区,第一区用于产生包括离子与游离基团的等离子体,处理腔室界定第二区,第二区用于处理半导体器件,处理腔室包括进入口端口,进入口端口形成于处理腔室的侧壁中,进入口端口与第二区流体连通,输送构件设置在远程等离子体腔室与处理腔室之间,且输送构件具有与第一区与进入口端口流体连通的通道,其中输送构件被配置以致通道的纵轴相对于进入口端口的纵轴以约20度至约80度的角度相交。 | ||
搜索关键词: | 用于 选择性 氮化 工艺 方法 设备 | ||
【主权项】:
一种远程等离子体系统,包括:远程等离子体腔室,所述远程等离子体腔室界定第一区,所述第一区用于产生包括离子与游离基团的等离子体;处理腔室,所述处理腔室界定第二区,所述第二区用于处理半导体器件,所述处理腔室包括进入口端口,所述进入口端口形成在所述处理腔室的侧壁中,所述进入口端口与所述第二区流体连通;及输送构件,所述输送构件用于从所述远程等离子体腔室输送等离子体物种至所述处理腔室,所述输送构件包括主体,所述主体在所述主体中界定纵向延伸通道,所述主体具有连接至所述第一区的第一端以及连接至所述第二区的第二端,所述第二端与所述第一端相对,其中所述通道耦接至所述处理腔室的所述进入口端口,以致所述通道的纵轴相对于所述进入口端口的纵轴以一角度相交。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
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