[发明专利]用于使涂层沉积在装置上的改进的沉积技术有效
申请号: | 201280037081.1 | 申请日: | 2012-08-31 |
公开(公告)号: | CN103717783B | 公开(公告)日: | 2016-11-16 |
发明(设计)人: | 安东尼·奥哈拉 | 申请(专利权)人: | 梅姆斯塔有限公司 |
主分类号: | C23C16/44 | 分类号: | C23C16/44 |
代理公司: | 北京安信方达知识产权代理有限公司 11262 | 代理人: | 高瑜;郑霞 |
地址: | 英国*** | 国省代码: | 英国;GB |
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摘要: | 本发明描述了一种适合于使涂层沉积在装置上的沉积方法。该方法特别适合于使自组装单层(SAM)涂层沉积在微机电结构(MEMS)上。该方法采用载气,以在装置被定位在其中的加工室中形成沉积蒸气,其中沉积蒸气包括控制量的蒸气前体材料和蒸气反应物材料。即使当反应物材料和前体材料的体积比率显著高于之前在现有技术中采用的那些比率时,采用所描述的技术避免了装置的微粒污染的有问题的影响。蒸气前体材料可以属于与包括水的相关蒸气反应物材料一起为MEMS提供抗静态阻力涂层的类型。 | ||
搜索关键词: | 用于 涂层 沉积 装置 改进 技术 | ||
【主权项】:
一种适合于在装置结构上沉积涂层的沉积方法,所述方法包括:提供将在其内沉积所述涂层的加工室;向所述加工室提供一种或多种前体材料的蒸气;以及向所述加工室提供一种或多种反应物材料的蒸气;其中在所述加工室内形成沉积蒸气,所述沉积蒸气包括的所述反应物材料和所述前体材料的体积比率大于10:1。
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C23 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面化学处理;金属材料的扩散处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆;金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的