[发明专利]半导体裸片组合件、包含所述半导体裸片组合件的半导体装置及制造方法有效
| 申请号： | 201280037539.3 | 申请日： | 2012-07-23 |
| 公开（公告）号： | CN103718289A | 公开（公告）日： | 2014-04-09 |
| 发明（设计）人： | 卢克·G·英格兰德;保罗·A·西尔韦斯特里;迈克尔·科普曼斯 | 申请（专利权）人： | 美光科技公司 |
| 主分类号： | H01L23/12 | 分类号： | H01L23/12;H01L23/48 |
| 代理公司： | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人： | 孙宝成 |
| 地址： | 美国爱*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 本发明涉及制造多裸片组合件的方法，所述多裸片组合件包含晶片片段，所述晶片片段上不具有集成电路而其上具有通过导电穿孔电互连的多个垂直堆叠裸片；所得的多裸片组合件；及半导体装置，所述半导体装置包括此类多裸片组合件。所述晶片片段可用作散热器以增强从所述所得多裸片组合件中的所述堆叠裸片的热转移。在基底晶片上在晶片级上制造所述裸片堆叠，在至少周边囊封之后从所述基底晶片将所述晶片片段及裸片堆叠单体化。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 组合 包含 装置 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种形成半导体裸片组合件的方法，其包括：将多个横向间隔的半导体裸片固定到基底晶片；将至少两个半导体裸片安置于所述多个横向间隔的半导体裸片中的每一半导体裸片之上以形成堆叠且将堆叠中的所述半导体裸片的导电穿孔与延伸于其之间的导电元件连接；将电介质材料提供于堆叠中的所述半导体裸片之间；使用在所述半导体裸片堆叠之间及周围的囊封剂材料来大体上同时囊封所述基底晶片上的所述半导体裸片堆叠中的每一者的至少一个周边；及穿过所述半导体裸片堆叠之间的所述囊封剂材料将所述半导体裸片堆叠及所述基底晶片单体化。
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