[发明专利]使用磁性退火的参考单元的MRAM感测有效
| 申请号： | 201280037699.8 | 申请日： | 2012-07-11 |
| 公开（公告）号： | CN103718245B | 公开（公告）日： | 2016-11-09 |
| 发明（设计）人： | 哈里·M·拉奥;朱晓春 | 申请（专利权）人： | 高通股份有限公司 |
| 主分类号： | G11C11/16 | 分类号： | G11C11/16;H01L43/08 |
| 代理公司： | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人： | 宋献涛 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明揭示用于使用磁性退火的参考单元来读取/感测存储于磁阻式随机存取存储器MRAM单元中的数据的系统和方法。MRAM包含参考电路(570)，所述参考电路包括至少一个磁性存储单元(506)，其中所述MRAM中的每一磁性存储单元被编程到相同状态。所述参考电路包含负载元件，所述负载元件耦合到所述磁性存储单元，其中所述负载元件(512)经配置以在读取操作期间建立参考电压。 | ||
| 搜索关键词： | 使用 磁性 退火 参考 单元 mram 感测 | ||
【主权项】：
一种具有参考电路的磁阻式随机存取存储器MRAM，所述参考电路包括：一个或一个以上磁性存储单元，其中所述参考电路中的所述一个或一个以上磁性存储单元中的每一者被编程到相同逻辑状态，其中所述相同逻辑状态是逻辑高状态或逻辑低状态中的一者；以及一个或一个以上负载元件，其电耦合到所述一个或一个以上磁性存储单元，其中所述一个或一个以上负载元件经配置以在读取操作期间基于其相应的驱动强度而建立参考电压。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于高通股份有限公司，未经高通股份有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201280037699.8/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：连续编织管道成型装置
- 下一篇：一种基于湿法刻蚀机实现色差片处理的方法
