[发明专利]氮化物半导体结构以及其制作方法有效
| 申请号： | 201280037824.5 | 申请日： | 2012-09-05 |
| 公开（公告）号： | CN103733308A | 公开（公告）日： | 2014-04-16 |
| 发明（设计）人： | 小林康之;熊仓一英;赤坂哲也;牧本俊树 | 申请（专利权）人： | 日本电信电话株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/20 | 分类号： | H01L21/20;H01L21/02;H01L21/205;H01L33/32 |
| 代理公司： | 北京品源专利代理有限公司 11332 | 代理人： | 刘宗杰;吕琳 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明的氮化物半导体结构生长出h-BN薄膜或者t-BN薄膜(12)以及纤锌矿型AlxGa1-xN(x＞0)薄膜(14)作为缓冲层，在其上形成单晶纤锌矿型AlGaInBN薄膜(13)。GaN、AlGaN、AlN等为具有sp3键的纤锌矿型结构，相对于此，h-BN、t-BN为具有sp2键的石墨型结构，而晶体结构完全不同。因此，以往没能考虑到能够在石墨型h-BN薄膜上生长纤锌矿型AlGaInBN薄膜。与此相对，当在石墨型氮化硼薄膜(12)上形成纤锌矿型AlxGa1-xN(x＞0)薄膜(14)作为缓冲层时，可以在其上生长出GaN等纤锌矿型AlGaInBN(13)氮化物半导体结构。 | ||
| 搜索关键词： | 氮化物 半导体 结构 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
一种氮化物半导体结构，其特征在于，具备：石墨型氮化硼薄膜、上述石墨型氮化硼薄膜上的纤锌矿型AlxGa1‑xN薄膜、以及上述纤锌矿型AlxGa1‑xN薄膜上的纤锌矿型AlGaInBN薄膜，其中，x＞0。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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