[发明专利]半导体功率模块、半导体功率模块的制造方法、电路板无效
| 申请号： | 201280037978.4 | 申请日： | 2012-07-31 |
| 公开（公告）号： | CN103733330A | 公开（公告）日： | 2014-04-16 |
| 发明（设计）人： | 高山泰史 | 申请（专利权）人： | 日本特殊陶业株式会社 |
| 主分类号： | H01L23/36 | 分类号： | H01L23/36;H01L21/60;H01L23/12 |
| 代理公司： | 北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙) 11277 | 代理人： | 刘新宇;张会华 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明的半导体功率模块能够提高从半导体元件向多层基板的热扩散性能、以及提高多层基板与半导体元件之间的接合强度。半导体功率模块（10）包括：陶瓷多层基板（100）、接合层（110）、扩散层（120）、半导体元件（130）。接合层（110）是包括导电接合部（111）和绝缘接合部（112）的平面状的薄膜层；上述导电连接部（111）配置在陶瓷多层基板（100）的第1面（105）上，用于将半导体元件（130）与陶瓷多层基板（100）之间电连接；上述绝缘接合部（112）用于将半导体元件（130）与陶瓷多层基板（100）之间绝缘。这样，能够抑制在半导体元件（130）与陶瓷多层基板（100）之间产生空隙的同时进行接合，能够提高从半导体元件（130）向陶瓷多层基板（100）的热扩散性能、以及陶瓷多层基板（100）与半导体元件（130）之间的接合强度。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 功率 模块 制造 方法 电路板 | ||
【主权项】：
一种半导体功率模块，其中，该半导体功率模块包括：多层基板，其形成有导通孔和布线图案；半导体元件，其配置在上述多层基板的第1面侧；以及接合层，其形成在上述多层基板的第1面上，将上述多层基板与半导体元件之间接合，上述接合层包括：导电接合部，其是配置在与上述导通孔相对应的第1部位的平面状的导电接合部，由导电连接部及导电性的突状部构成，该突状部形成于上述半导体元件，该导电连接部用于将上述突状部与上述多层基板之间导通；以及平面状的绝缘接合部，其配置在与上述第1部位不同的第2部位，以无机系材料为主要成分。
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