[发明专利]原料气化供给装置有效
| 申请号： | 201280038133.7 | 申请日： | 2012-06-11 |
| 公开（公告）号： | CN103718275A | 公开（公告）日： | 2014-04-09 |
| 发明（设计）人： | 永濑正明;日高敦志;平田薰;土肥亮介;西野功二;池田信一 | 申请（专利权）人： | 株式会社富士金 |
| 主分类号： | H01L21/205 | 分类号： | H01L21/205;C23C16/455 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人： | 朱美红;李婷 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明通过能够将加热固体原料或液体原料而生成的原料蒸汽一边使用压力式流量控制装置进行流量控制一边向处理腔室稳定地供给，实现原料的气化供给装置的小型化和半导体产品的品质提高，并且能够容易地进行原料的剩余量管理。本发明的原料气化供给装置由以下部分构成：原料箱，储存原料；原料蒸汽供给路，从原料箱的内部空间部将原料蒸汽向处理腔室供给；压力式流量控制装置，夹设在该供给路中，控制向处理腔室供给的原料蒸汽流量；和恒温加热部，将上述原料箱、供给路和压力式流量控制装置加热到设定温度；将在原料箱的内部空间部中生成的原料蒸汽一边通过压力式流量控制装置进行流量控制一边向处理腔室供给。 | ||
| 搜索关键词： | 原料 气化 供给 装置 | ||
【主权项】：
一种原料气化供给装置，其特征在于，由以下部分构成：原料箱，储存原料；原料蒸汽供给路，从原料箱的内部空间部将原料蒸汽向处理腔室供给；压力式流量控制装置，夹设在该供给路中，控制向处理腔室供给的原料蒸汽流量；和恒温加热部，将上述原料箱、原料蒸汽供给路和压力式流量控制装置加热到设定温度；做成下述结构：将在原料箱的内部空间部中生成的原料蒸汽一边通过压力式流量控制装置进行流量控制一边向处理腔室供给。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
