[发明专利]13族元素氮化物膜的剥离方法在审
| 申请号： | 201280038697.0 | 申请日： | 2012-07-13 |
| 公开（公告）号： | CN103732809A | 公开（公告）日： | 2014-04-16 |
| 发明（设计）人： | 岩井真;平尾崇行;吉野隆史 | 申请（专利权）人： | 日本碍子株式会社 |
| 主分类号： | C30B29/38 | 分类号： | C30B29/38;C30B19/02;C30B33/08;H01L21/02;H01L33/00 |
| 代理公司： | 上海市华诚律师事务所 31210 | 代理人： | 李晓 |
| 地址： | 日本爱知县名古*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 在晶种基板11的培养面上，通过助熔剂法，从含有助熔剂以及13族元素的熔液，在含氮气氛下设置13族元素氮化物膜3。在13族元素氮化物膜3的自晶种基板11侧的界面11a起50μm以下的区域，设置有分布了来自熔液成分的夹杂物的夹杂物分布层3a，在夹杂物分布层3a上，设置有夹杂物很少的夹杂物缺乏层3b。从晶种基板11的背面1b侧照射激光A，通过激光剥离法，将13族元素氮化物单晶3从晶种基板11剥离。 | ||
| 搜索关键词： | 13 元素 氮化物 剥离 方法 | ||
【主权项】：
一种13族元素氮化物膜的剥离方法，是对于在晶种基板上设有13族元素氮化物膜的层积体，从所述晶种基板的背面一侧照射激光，通过激光剥离法，将所述13族元素氮化物膜从所述晶种基板剥离的方法，所述13族元素氮化物膜是在晶种基板上，通过助熔剂法，由含有助熔剂以及13族元素的熔液，在含氮气氛下培养而成；其特征在于，所述13族元素氮化物膜含有：设置在所述13族元素氮化物膜的自所述晶种基板一侧的界面起50μm以下的区域、分布有来自所述熔液成分的夹杂物的夹杂物分布层，以及设置在该夹杂物分布层上、所述夹杂物很少的夹杂物缺乏层。
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