[发明专利]半导体装置的制造方法及该方法中所使用的半导体晶片表面保护用膜有效
| 申请号： | 201280038816.2 | 申请日： | 2012-08-09 |
| 公开（公告）号： | CN103748664A | 公开（公告）日： | 2014-04-23 |
| 发明（设计）人： | 林下英司;尾崎胜敏;酒井充;森本哲光;小野博之;国重仁志 | 申请（专利权）人： | 三井化学东赛璐株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/304 | 分类号： | H01L21/304;C09J7/02;C09J11/06;C09J133/08 |
| 代理公司： | 北京银龙知识产权代理有限公司 11243 | 代理人： | 金鲜英;李宏轩 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供一种即便对于硬且脆的半导体晶片，亦可无破损地进行背面磨削的半导体晶片表面保护用膜。具体而言，本发明提供一种半导体晶片表面保护用膜，其包括：在150℃的储存弹性模量GA（150）为1MPa以上的基材层（A），以及在120℃～180℃的任意温度的储存弹性模量GB（120～180）为0.05MPa以下、且在40℃的储存弹性模量GB（40）为10MPa以上的软化层（B）。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 制造 方法 使用 晶片 表面 保护 | ||
【主权项】：
一种半导体晶片表面保护用膜，包括：基材层（A），其在150℃的储存弹性模量GA（150）为1MPa以上；软化层（B），其在120℃～180℃的任意温度的储存弹性模量GB（120～180）为0.05MPa以下，且在40℃的储存弹性模量GB（40）为10MPa以上。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
