[发明专利]电流扩散效果优秀的氮化物半导体发光器件及其制备方法无效
| 申请号： | 201280038922.0 | 申请日： | 2012-08-02 |
| 公开（公告）号： | CN103748698A | 公开（公告）日： | 2014-04-23 |
| 发明（设计）人： | 崔元珍;朴廷元 | 申请（专利权）人： | 日进LED有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/14 | 分类号： | H01L33/14 |
| 代理公司： | 北京品源专利代理有限公司 11332 | 代理人： | 杨生平;钟锦舜 |
| 地址： | 韩国京畿*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 本发明公开一种利用包含电流扩散用杂质的电流扩散部来实现优秀的电流扩散效果的氮化物半导体发光器件及其制备方法。本发明的氮化物半导体发光器件包括：n型氮化物层，电流扩散部，其由包含电流扩散用杂质的氮化物形成在上述n型氮化物层上，活性层，其形成在上述电流扩散部上，以及p型氮化物层，其形成在上述活性层上；上述电流扩散用杂质包含碳（C）。 | ||
| 搜索关键词： | 电流 扩散 效果 优秀 氮化物 半导体 发光 器件 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种氮化物半导体发光器件，其特征在于，包括：n型氮化物层，电流扩散部，其由包含电流扩散用杂质的氮化物形成在上述n型氮化物层上，活性层，其形成在上述电流扩散部上，以及p型氮化物层，其形成在上述活性层上；上述电流扩散用杂质包含碳（C）。
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