[发明专利]氮化膜的制造装置及其制造方法、以及其制造程序

摘要

[技术问题]使氮化膜的折射率及/或沉积速度的分布均匀性稳定在预定数值范围内，同时提高氮化膜的应力的控制性。[技术手段]一种氮化膜的制造装置(100)，其为在反应室(30)内所配置的基板(20)上使用等离子体CVD法形成氮化膜(70(70a))的氮化膜的制造装置(100)。具体而言，此氮化膜的制造装置(100)具备控制部(39)，此控制部(39)基于用以形成氮化膜(70(70a))而使用独立地施加相对较高频率的第一高频电力及/或相对较低频率的第二高频电力而得到稳定在预定数值范围内的前述氮化膜的折射率分布及/或前述氮化膜的沉积速度分布，算出用以得到所需要(包含应力为0时)的氮化膜(70(70a))的压缩应力或拉伸应力的被施加第一高频电力的第一期间及被施加第二高频电力的第二期间。

主权项

一种氮化膜的制造装置，其为在反应室内所配置的基板上使用等离子体CVD法形成氮化膜的氮化膜的制造装置，其特征在于，包含：控制部，该控制部为了形成该氮化膜，根据使用独立地施加相对较高频率的第一高频电力及/或相对较低频率的第二高频电力而得到稳定在预定数值范围内的该氮化膜的折射率分布及/或该氮化膜的沉积速度分布，并基于被施加该第一高频电力的第一期间及被施加该第二高频电力的第二期间的比率，算出用以得到所需要的该氮化膜的压缩应力或拉伸应力而被施加该第一高频电力的该第一期间及被施加该第二高频电力的该第二期间。