[发明专利]太阳能电池基底、其制备方法以及使用其的太阳能电池无效
申请号: | 201280038999.8 | 申请日: | 2012-06-08 |
公开(公告)号: | CN103733350A | 公开(公告)日: | 2014-04-16 |
发明(设计)人: | 金庆保;朴永俊;白济焄;金钟常;金泳根 | 申请(专利权)人: | POSCO公司 |
主分类号: | H01L31/0392 | 分类号: | H01L31/0392;H01L31/18 |
代理公司: | 北京北翔知识产权代理有限公司 11285 | 代理人: | 侯婧;钟守期 |
地址: | 韩国庆尚*** | 国省代码: | 韩国;KR |
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摘要: | 本发明的一方面是一种太阳能电池基底,其包括:底部基底和在所述底部基底的顶部上形成的底部电极,其中具有至少一层或两层或更多层金属层的金属扩散阻挡层包括于所述底部基底和所述底部电极之间,且如果形成两层或更多层金属层,则彼此邻近的金属层可为不同的金属。此外,本发明的另一方面是一种太阳能电池,其包括:底部基底、在底部基底的顶部上形成的底部电极,其中具有至少一层或两层或更多层金属层的金属扩散阻挡层包括于所述底部基底和所述底部电极之间,且如果形成两层或更多层金属层,则彼此邻近的金属层包括具有不同金属的太阳能电池基底;形成于所述太阳能电池基底上的p-型吸光层;形成于所述吸光层上的n-型缓冲层;形成于所述缓冲层上的透明窗;以及形成于所述透明窗上的顶部电极。 | ||
搜索关键词: | 太阳能电池 基底 制备 方法 以及 使用 | ||
【主权项】:
一种太阳能电池基底,其包括:底部基底;位于底部基底的顶部上的底部电极;和在底部基底和底部电极之间的金属扩散阻挡层,其包括一层或多层金属层,其中当所述金属扩散阻挡层包括两层或更多层金属层时,彼此接触的金属层可以具有不同的金属。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
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H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的