[发明专利]曝光装置用的对准装置以及对准标记有效
申请号: | 201280039116.5 | 申请日: | 2012-08-07 |
公开(公告)号: | CN103858208A | 公开(公告)日: | 2014-06-11 |
发明(设计)人: | 桥本和重 | 申请(专利权)人: | 株式会社V技术 |
主分类号: | H01L21/027 | 分类号: | H01L21/027;G03F9/00 |
代理公司: | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人: | 毛立群;王忠忠 |
地址: | 日本神奈*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | 对准装置设置有射出用于对准的光的对准光源,例如内置于照相机。而且,对准光源例如与照相机检测出的光的光轴同轴地射出对准光。对准光照射到基板和掩模,反射光由照相机所检测。在掩模对准标记与基板对准标记之间还存在用于曝光的微透镜阵列,由此,从基板对准标记反射的正立等倍像被成像在掩模上。进而,通过由照相机检测出的掩模对准标记的反射光以及基板对准标记,控制装置进行基板与掩模的对准。由此,能以高精度执行基板与掩模的对准。 | ||
搜索关键词: | 曝光 装置 对准 以及 标记 | ||
【主权项】:
一种曝光装置用的对准装置,所述曝光装置具有:光源,射出曝光光;掩模,入射来自该光源的曝光光并在基板形成有曝光的图案;以及第一微透镜阵列,设置在所述基板与所述掩模之间,并入射透过了所述掩模的曝光光在所述基板使所述图案的正立等倍像成像,所述曝光装置用的对准装置对所述曝光装置的所述掩模与所述基板进行相对地对位,所述曝光装置用的对准装置的特征在于,具有:对准光源,从所述掩模的上方将对准用的光照射到设置在所述基板的基板对准标记和设置在所述掩模的掩模对准标记;第二微透镜阵列,配置在所述基板对准标记与所述掩模对准标记之间,并使从所述基板对准标记反射的反射光在所述掩模上作为正立等倍像成像;照相机,从所述掩模侧检测所述基板对准标记的反射光和所述掩模对准标记的反射光;以及控制装置,以由该照相机检测出的所述基板对准标记和所述掩模对准标记相一致的方式调节所述掩模和/或所述基板的位置。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造