[发明专利]半导体发光元件以及包含该半导体发光元件的叠层体无效
| 申请号： | 201280039160.6 | 申请日： | 2012-08-09 |
| 公开（公告）号： | CN103890980A | 公开（公告）日： | 2014-06-25 |
| 发明（设计）人： | 岩井真;平尾崇行;吉野隆史 | 申请（专利权）人： | 日本碍子株式会社 |
| 主分类号： | H01L33/32 | 分类号： | H01L33/32;C30B9/00;C30B29/38 |
| 代理公司： | 上海市华诚律师事务所 31210 | 代理人： | 李晓 |
| 地址： | 日本爱知县名古*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明为一种半导体发光元件，其具有13族元素氮化物膜（3）、设置在13族元素氮化物膜（3）上的n型半导体层（21）、设置在n型半导体层（21）上的发光区域（23）以及设置在发光区域（23）上的p型半导体层（25），所述13族元素氮化物膜是在晶种基板上通过助熔剂法由含有助熔剂及13族元素的熔液于含氮气氛下育成的，其特征在于，所述13族元素氮化物膜（3）含有夹杂物分布层（3a）和夹杂物缺乏层（2b），所述夹杂物分布层（3a）被设置于自13族元素氮化物膜（3）的晶种基板侧的界面（11a）起50μm以下的区域，且分布有源自熔液的成分的夹杂物，所述夹杂物缺乏层（2b）被设置于夹杂物分布层上，且所述夹杂物缺乏层（2b）中缺乏夹杂物。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 发光 元件 以及 包含 叠层体 | ||
【主权项】：
一种半导体发光元件，其具有13族元素氮化物膜、设置在该13族元素氮化物膜上的n型半导体层、设置在该n型半导体层上的发光区域以及设置在该发光区域上的p型半导体层，所述13族元素氮化物膜是在晶种基板上通过助熔剂法由含有助熔剂及13族元素的熔液于含氮气氛下育成的，其特征在于，所述13族元素氮化物膜含有夹杂物分布层和夹杂物缺乏层，所述夹杂物分布层被设置于自所述13族元素氮化物膜的所述晶种基板侧的界面起50μm以下的区域，且分布有源自所述熔液的成分的夹杂物，所述夹杂物缺乏层被设置于该夹杂物分布层上，且所述夹杂物缺乏层中缺乏所述夹杂物。
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