[发明专利]叠层型光电转换装置的制造方法

摘要

本发明涉及一种具有前方光电转换单元(3)和后方光电转换单元(4)的叠层型光电转换装置的制造方法。前方光电转换单元的逆导电型层(33)的与后方光电转换单元(4)相接的一侧，是在含有硅和氧的非晶体合金中混合存在有硅结晶相的硅复合层。在本发明中，前方光电转换单元的硅复合层形成后，不取出至大气中，而是在同一制膜室内，形成后方光电转换单元(4)的晶体的一导电型层(41)以及晶体硅类光电转换层(42)。晶体硅类光电转换层(42)的形成开始时的功率密度，优选为前方光电转换单元的硅复合层形成时的功率密度的0.1倍以上且小于1倍的范围。

主权项

一种叠层型光电转换装置的制造方法，所述叠层型光电转换装置从光入射侧至少具有前方光电转换单元和后方光电转换单元，其中，所述叠层型光电转换装置的制造方法包括：通过等离子体CVD法形成前方光电转换单元的工序，和在所述前方光电转换单元上，通过等离子体CVD法形成后方光电转换单元的工序，所述前方光电转换单元形成工序中，依次形成一导电型层、实质上本征的非晶体硅类光电转换层、以及逆导电型层，并且前方光电转换单元的逆导电型层的至少与后方光电转换单元相接的一侧，是在含有硅和氧的非晶体合金中混合存在有硅结晶相的硅复合层，所述后方光电转换单元形成工序中，依次形成晶体的一导电型层、实质上本征的晶体硅类光电转换层、以及逆导电型层，形成所述硅复合层后，不取出至大气中，而是在同一制膜室内，形成后方光电转换单元的晶体的一导电型层和晶体硅类光电转换层，所述后方光电转换单元的晶体硅类光电转换层的碳浓度为1×10¹⁷atm/cm³以下，氧浓度为2×10¹⁸atm/cm³以下。