[发明专利]晶锭生长设备和制造晶锭的方法有效
| 申请号： | 201280039532.5 | 申请日： | 2012-08-10 |
| 公开（公告）号： | CN103732807A | 公开（公告）日： | 2014-04-16 |
| 发明（设计）人： | 安镇佑;金奉佑;崔日洙;金度延 | 申请（专利权）人： | LG矽得荣株式会社 |
| 主分类号： | C30B15/04 | 分类号： | C30B15/04;C30B15/32;C30B29/06;H01L21/02 |
| 代理公司： | 北京派特恩知识产权代理事务所(普通合伙) 11270 | 代理人： | 张颖玲;胡春光 |
| 地址： | 韩国庆*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 本发明提供一种晶锭生长设备，所述晶锭生长装置包括：含有硅熔体的坩埚；提拉装置，所述提拉装置提拉从所述硅熔体生长的硅单晶晶锭；以及掺杂剂供给单元，所述掺杂剂供给单元与所述提拉装置相邻布置，并且用于在所述晶锭的生长期间供给掺杂剂。可以通过所述掺杂剂供给单元以高于晶锭的浓度的浓度掺杂颈部。因此，可以降低位错的传播速度，并且可以缩短传播长度。 | ||
| 搜索关键词： | 生长 设备 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种晶锭生长设备，包括：含有硅熔体的坩埚；提拉装置，所述提拉装置提拉从所述硅熔体生长的硅单晶晶锭；以及掺杂剂供给单元，所述掺杂剂供给单元与所述提拉装置相邻布置，并且用于在所述晶锭的生长期间供给掺杂剂。
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