[发明专利]三维离子制程用的装置及其方法有效
| 申请号： | 201280039634.7 | 申请日： | 2012-08-15 |
| 公开（公告）号： | CN103733300A | 公开（公告）日： | 2014-04-16 |
| 发明（设计）人： | 提摩西·J·米勒;卢多维克·葛特 | 申请（专利权）人： | 瓦里安半导体设备公司 |
| 主分类号： | H01J37/302 | 分类号： | H01J37/302 |
| 代理公司： | 北京同立钧成知识产权代理有限公司 11205 | 代理人： | 张洋 |
| 地址： | 美国麻*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 一种处理工件(40)的方法。此方法包括引导第一离子束(204)朝向工件的第一区域，其中第一离子束具有经由萃取板(14)的孔洞而萃取的第一离子的第一离子角轮廓(402，412或422)。此方法也包括引导第二离子束(204)朝向工件的第一区域，其中第二离子束具有经由萃取板的孔洞而萃取的第二离子的第二离子角轮廓(402，412或422)，其中第二离子角轮廓不同于第一离子角轮廓。 | ||
| 搜索关键词： | 三维 离子 制程用 装置 及其 方法 | ||
【主权项】：
一种处理工件的方法，包括：引导第一离子束朝向工件的第一区域，所述第一离子束具有经由萃取板的孔洞而萃取的第一离子的第一离子角轮廓；以及引导第二离子束朝向所述工件的所述第一区域，所述第二离子束具有经由所述萃取板的所述孔洞而萃取的第二离子的第二离子角轮廓，其中所述第二离子角轮廓不同于所述第一离子角轮廓。
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