[发明专利]产生低发射率层系统的方法和装置无效

专利信息
申请号: 201280040499.8 申请日: 2012-08-20
公开(公告)号: CN103987674A 公开(公告)日: 2014-08-13
发明(设计)人: 哈拉尔德·格罗斯;乌多·维尔科芒 申请(专利权)人: 冯·阿德纳有限公司
主分类号: C03C17/36 分类号: C03C17/36;C03C23/00
代理公司: 中原信达知识产权代理有限责任公司 11219 代理人: 梁晓广;关兆辉
地址: 德国德*** 国省代码: 德国;DE
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摘要: 发明涉及一种用于产生低发射率层系统的方法,包括以下步骤:利用沉积,在基板的至少一侧上形成至少一个低发射率层;并且随后利用电磁辐射来对沉积低发射率层进行短暂回火,避免对基板进行直接加热,并且本发明还涉及一种用于执行该方法的装置,其解决了改进低发射率层系统的光学和热特性的问题,而没有对整个基板进行高成本的回火,同时维持低e涂覆的基板的可加工性。
搜索关键词: 产生 发射 系统 方法 装置
【主权项】:
一种用于产生低发射率层系统的方法,所述方法包括以下步骤:利用沉积,在基板的至少一侧上形成至少一个透明金属IR反射层,其在下文中被称作低发射率层;以及随后利用电磁辐射对至少一个沉积层进行短暂回火,同时避免直接加热基板,其特征在于,对至少一个低发射率层进行短暂地回火,其中通过具有至少一个闪光灯,优选地多个闪光灯的闪光灯设备,利用至少一个闪光脉冲,来实现所述电磁辐射。
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