[发明专利]离子束装置有效
| 申请号： | 201280040502.6 | 申请日： | 2012-05-28 |
| 公开（公告）号： | CN103733296A | 公开（公告）日： | 2014-04-16 |
| 发明（设计）人： | 武藤博幸;川浪义实 | 申请（专利权）人： | 株式会社日立高新技术 |
| 主分类号： | H01J27/26 | 分类号： | H01J27/26;H01J37/08;H01J37/18;H01J37/28;H01J37/317 |
| 代理公司： | 北京银龙知识产权代理有限公司 11243 | 代理人： | 张敬强;严星铁 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 在现有的气体离子化室中，存在为了避免辉光放电，只使气压下降，无法通过提高气体导入压力，增大离子电流之类的课题。本发明的目的在于通过提高气体导入压力，增大离子电流，并且防止由离子化引起的离子束散乱。通过从GND电位的结构体供给气体，不在气压更高的离子化气体的导入口附近施加高电压。另外，通过从构成加速集束透镜的透镜电极的透镜开口部进行差压排气，优先减少位于离子束通过的区域的离子化气体。 | ||
| 搜索关键词： | 离子束 装置 | ||
【主权项】：
一种离子束装置，其通过将从气体电场电离离子源产生的离子束照射到试样上，进行试样的观察或加工，该离子束装置的特征在于，上述气体电场电离离子源具有：为阳极的发射器芯片；为阴极的引出电极；从气体导入口向上述发射器芯片的前端部与上述引出电极之间的空间供给气体的气体导入部；以及收放上述发射器芯片与上述引出电极，并具备排出上述气体的排气口的真空容器，上述气体导入口设在接地电位的结构体上。
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