[发明专利]区域决定装置、观察装置或检查装置、区域决定方法以及使用了区域决定方法的观察方法或检查方法有效
| 申请号： | 201280040589.7 | 申请日： | 2012-07-09 |
| 公开（公告）号： | CN103748670A | 公开（公告）日： | 2014-04-23 |
| 发明（设计）人： | 中垣亮;平井大博;小原健二 | 申请（专利权）人： | 株式会社日立高新技术 |
| 主分类号： | H01L21/66 | 分类号： | H01L21/66;G01N23/225 |
| 代理公司： | 北京银龙知识产权代理有限公司 11243 | 代理人： | 曾贤伟;曹鑫 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明高效地决定需要进行高灵敏度检查、高精度测量的部分区域。区域决定装置具备：计算部，其根据包含拍摄检查试样而得到的试样上的缺陷位置、或被预测为在试样上有可能产生缺陷的缺陷位置所得的图像在内的缺陷数据的至少多种缺陷属性信息，计算缺陷的产生程度；区域决定部，其提取出产生程度为预定程度以上的缺陷数据，根据提取出的该缺陷数据决定要进行观察或检查的试样上的区域。 | ||
| 搜索关键词： | 区域 决定 装置 观察 检查 方法 以及 使用 | ||
【主权项】：
一种区域决定装置，其特征在于，具备：计算部，其根据包含拍摄检查试样而得到的试样上的缺陷位置、或被预测为在该试样上有可能产生缺陷的缺陷位置所得的图像在内的缺陷数据的至少多种缺陷属性信息，计算上述缺陷的产生程度；以及区域决定部，其提取出上述产生程度为预定程度以上的缺陷数据，根据提取出的该缺陷数据决定进行观察或检查的试样上的区域。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
