[发明专利]具有存取闸的沉积系统及相关方法

摘要

沉积系统（100）包括反应室（102）及至少局部布置在所述反应室（102）内的基板支撑结构（114）。所述系统还包括至少一个气体注入装置（110）及至少一个真空装置（113），两者一起用于使工艺气体流经所述反应室（102）。所述系统还包括至少一个存取闸（188），工件基板（116）可穿过该存取闸被装载到所述反应室内以及被卸载出所述反应室（102）。所述至少一个存取闸远离所述气体注入装置（110）定位。可利用这种沉积系统执行半导体材料沉积的方法。制造这种沉积系统的方法可包括在远离气体注入装置的位置将存取闸联接至反应室。

主权项

一种沉积系统，该沉积系统包括：由顶壁、底壁及至少一个侧壁限定的反应室；基板支撑结构，该基板支撑结构至少局部布置在所述反应室内并且构造成支撑所述反应室内的工件基板；至少一个气体注入装置，其用于将包括至少一种前驱气体的一种或多种工艺气体在第一位置注入到所述反应室内；真空装置，该真空装置用于将穿过所述反应室的所述一种或多种工艺气体从所述第一位置抽至第二位置，并且用于在所述第二位置将所述一种或多种工艺气体从所述反应室排出；至少一个存取闸，工件基板能穿过该存取闸被装载到所述反应室内并装载到所述基板支撑结构上，以及从所述基板支撑结构被卸载出所述反应室，所述至少一个存取闸远离所述第一位置定位；以及布置在所述反应室内的至少一个内置前驱气体炉，该至少一个内置前驱气体炉构造成用于加热至少一种前驱气体并且将所述反应室内的所述至少一种前驱气体从所述至少一个气体注入装置运送至靠近所述基板支撑结构的位置，其中，所述至少一个内置前驱气体炉包括附接在一起的五个大致板形结构，这些大致板形结构的尺寸和构造设定成在所述大致板形结构之间限定的室中限定延伸穿过所述至少一个内置前驱气体炉的一个或多个前驱气体流动路径，所述大致板形结构之间限定的所述室被构造成使气流越加为层流，与湍流相反。