[发明专利]垂直相分离半导体有机材料层有效
| 申请号： | 201280041553.0 | 申请日： | 2012-06-29 |
| 公开（公告）号： | CN103781845A | 公开（公告）日： | 2014-05-07 |
| 发明（设计）人： | 克里斯托弗·T·布朗;尼特·乔普拉;文卡塔拉曼南·塞沙德里;王菁 | 申请（专利权）人： | 普莱克斯托尼克斯公司 |
| 主分类号： | C08L65/00 | 分类号： | C08L65/00;H01B1/12 |
| 代理公司： | 隆天国际知识产权代理有限公司 72003 | 代理人： | 吴小瑛;张福根 |
| 地址： | 美国宾*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 利用垂直相分离简化工艺的改进的OLED器件及其制造方法。垂直相分离材料可以包括设置在电极上的至少一个下部第一层，以及至少一个不同于第一层且远离电极或任选地在包含至少一种半导体有机材料的一个层上设置的上部第二层。第一层富含至少一种第一半导体有机材料(SOM1)，而第二层富含至少一种不同于SOM1的第二半导体有机材料(SOM2)。油墨组合物可适于使膜垂直相分离成第一层和第二层。本文还具体描述了组合物和器件。 | ||
| 搜索关键词： | 垂直 分离 半导体 有机 材料 | ||
【主权项】：
一种组合物，其包含：第一半导体有机材料(SOM1)；与SOM1不同的第二半导体有机材料(SOM2)；至少一种溶剂体系，其中，SOM1和SOM2分别选自(a)至少一种空穴注入材料(HIM)和至少一种不同于空穴注入材料的空穴传输材料(HTM)，(b)至少一种第一空穴传输材料(HTM1)和至少一种不同于第一空穴传输材料的第二空穴传输材料(HTM2)，或(c)至少一种发射材料(EM)和至少一种电子传输材料(ETM)，以及，其中，SOM2被官能化从而在去除溶剂体系以及在衬底上形成膜时促进远离衬底表面富集SOM2。
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