[发明专利]结晶化的方法有效
| 申请号： | 201280041674.5 | 申请日： | 2012-08-31 |
| 公开（公告）号： | CN103765564A | 公开（公告）日： | 2014-04-30 |
| 发明（设计）人： | 布鲁斯·E·亚当斯;阿伦·缪尔·亨特;斯蒂芬·莫法特 | 申请（专利权）人： | 应用材料公司 |
| 主分类号： | H01L21/324 | 分类号： | H01L21/324 |
| 代理公司： | 北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006 | 代理人： | 徐金国;赵静 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 说明了用于处理具有非晶半导体层或具有小晶体的半导体层的基板以于基板中形成大晶体的设备与方法。识别基板的处理区，并利用对处理区传送脉冲能量的逐步熔化工艺来熔化处理区。接着利用对该区域传送脉冲能量的逐步结晶化工艺来使该处理区重新结晶化。在逐步结晶化工艺中所传送的脉冲能量被选择以随着熔化材料凝固而使小晶体转变为大晶体。 | ||
| 搜索关键词： | 结晶 方法 | ||
【主权项】：
一种处理基板的方法，包含以下步骤：从第一能量产生器传送第一熔化能量脉冲至所述基板；从第二能量产生器传送第二熔化能量脉冲至所述基板；在第一凝固周期之后，从第三能量产生器传送第一凝固控制能量脉冲至所述基板；在第二凝固周期之后，从第四能量产生器传送第二凝固控制能量脉冲至所述基板。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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