[发明专利]金属充填装置有效
申请号: | 201280041719.9 | 申请日: | 2012-09-04 |
公开(公告)号: | CN103765560A | 公开(公告)日: | 2014-04-30 |
发明(设计)人: | 山口征隆;滝川敏二;速水利泰;今井修 | 申请(专利权)人: | 住友精密工业股份有限公司 |
主分类号: | H01L21/288 | 分类号: | H01L21/288;B22D19/00;C23C6/00;H01L21/3205;H01L21/768;H01L23/522 |
代理公司: | 北京科龙寰宇知识产权代理有限责任公司 11139 | 代理人: | 孙皓晨 |
地址: | 日本兵库县*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | 本发明公开一种金属充填装置,不仅可将在处理后的被处理物上所形成的剩余金属层的厚度缩减到最小限度,亦可在被处理物上所形成的开口般的微小空间(贯通孔)内充填熔融金属。金属充填装置1包括保持半导体芯片的保持台H、与保持台H成对向设置的活塞P、在保持台H对向侧上设置的由金属构成的挤压组件,以及挤压活塞P使其对着保持台H上的半导体芯片K的挤压机构5等,并通过半导体芯片K、外壳C以及活塞P等形成气密状的处理室2。此外,还具备将处理室2内部的气体排出以使该处理室2内部减压的减压机构3、将熔融金属M供给至处理室2内部的熔融金属供给机构4,将非活性气体供给至处理室2内部的加压气体供给机构7等。 | ||
搜索关键词: | 金属 充填 装置 | ||
【主权项】:
一种金属充填装置,其特征在于,其是一将供给至被处理物上的熔融金属,充填至所述被处理物表面上形成开口的微小空间内的金属充填装置;包括:具有保持所述被处理物的保持部;含有内部空间,其中一端设置于与所述保持部呈对向的筒状元件;被嵌设在所述筒状元件的内部空间内可自由进退的挤压组件;相对于保持于所述保持部的所述被处理物,使所述挤压组件进退的挤压机构;具有使所述保持部以及所述筒状元件的至少其中一方朝另一方靠近、远离的升降机构;通过保持于所述保持部的所述被处理物或所述保持部,与所述筒状元件及所述挤压组件所形成的气密状的处理室;更具备有对所述处理室内做减压的减压机构;供给熔融金属至所述处理室内的熔融金属供给机构;将加压的熔融金属供给至所述处理室内的供给机构;同时通过所述挤压组件的进退位置而使所述处理室的容积产生变化。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
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