[发明专利]细间距线栅偏振器有效
| 申请号： | 201280042224.8 | 申请日： | 2012-06-25 |
| 公开（公告）号： | CN103907173A | 公开（公告）日： | 2014-07-02 |
| 发明（设计）人： | M·A·戴维斯 | 申请（专利权）人： | 莫克斯泰克公司 |
| 主分类号： | H01L21/027 | 分类号： | H01L21/027 |
| 代理公司： | 北京市中咨律师事务所 11247 | 代理人： | 贺月娇;杨晓光 |
| 地址： | 美国*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 一种多台阶线栅偏振器（120）可以包括基体（121），在该基体上设置有多个平行的多台阶肋（122）。沿着所述台阶的垂直表面（V）设置涂层（C）。 | ||
| 搜索关键词： | 间距 偏振 | ||
【主权项】：
一种纳米尺寸的多台阶器件，包括：a.基体；b.在所述基体上设置的多个平行的多台阶肋；c.每个肋在其每侧包括多个相邻的台阶，所述多个相邻的台阶包括：i.上部台阶，其顶部水平表面的两侧是上部垂直表面；以及ii.至少一对下部台阶，其在所述上部台阶的对面具有两个水平表面，并且其两侧是下部垂直表面；d.沿着所述上部台阶和所述至少一对下部台阶的垂直表面的涂层；以及e.沿着任何台阶的垂直表面的所述涂层与沿着邻近的台阶的垂直表面的所述涂层分隔。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
