[发明专利]发光二极管芯片在审
| 申请号： | 201280042389.5 | 申请日： | 2012-08-23 |
| 公开（公告）号： | CN103765616A | 公开（公告）日： | 2014-04-30 |
| 发明（设计）人： | K.佩尔茨尔迈尔;K.格尔克;R.瓦尔特;K.恩格尔;G.魏斯;M.毛特;S.拉梅尔斯贝格尔 | 申请（专利权）人： | 奥斯兰姆奥普托半导体有限责任公司 |
| 主分类号： | H01L33/42 | 分类号： | H01L33/42;H01L33/40;H01L33/38 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人： | 张涛;刘春元 |
| 地址： | 德国雷*** | 国省代码： | 德国;DE |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 说明了一种带有半导体层序列（2）的发光二极管芯片（1），所述半导体层序列具有适于产生电磁辐射（13）的有源层（3），其中该发光二极管芯片（1）在前侧上具有辐射出射面（4）。在与辐射出射面（4）相对的背侧上，发光二极管芯片（1）至少局部地具有反射膜层（5），该反射膜层包含银。在所述反射膜层（5）上布置有保护层（6），所述保护层（6）具有透明导电氧化物。 | ||
| 搜索关键词： | 发光二极管 芯片 | ||
【主权项】：
带有半导体层序列（2）的发光二极管芯片（1），所述半导体层序列具有适于产生电磁辐射（13）的有源层（3），其中‑该发光二极管芯片（1）在前侧上具有辐射出射面（4），‑在与辐射出射面（4）相对的背侧上，发光二极管芯片（1）至少局部地具有反射膜层（5），该反射膜层包含银，‑在所述反射膜层（5）上布置有保护层（6），并且‑所述保护层（6）具有透明导电氧化物。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于奥斯兰姆奥普托半导体有限责任公司，未经奥斯兰姆奥普托半导体有限责任公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201280042389.5/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种灯杆用耐老化涂料及其制备方法
- 下一篇：多工位方管冲孔装置
