[发明专利]气体阻隔性膜及其制造方法、以及使用了其的电子元件用基板有效
| 申请号： | 201280042683.6 | 申请日： | 2012-08-24 |
| 公开（公告）号： | CN103796830A | 公开（公告）日： | 2014-05-14 |
| 发明（设计）人： | 河野纯一;江连秀敏 | 申请（专利权）人： | 柯尼卡美能达株式会社 |
| 主分类号： | B32B23/02 | 分类号： | B32B23/02;B29C41/24;B29C47/00;B29C55/02;B29C71/02;B32B5/02;B32B9/00;G02F1/1333;B29K1/00;B29L7/00;B29L9/00 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 | 代理人： | 贾成功 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供气体阻隔性膜及其制造方法、以及使用了其的电子元件用基板。本发明的气体阻隔性膜具有片状基材和形成于上述片状基材的至少单面的气体阻隔层，所述片状基材含有纤维素纳米纤维的羟基的氢原子的至少一部分被碳数1～8的酰基取代了的表面改性纤维素纳米纤维，基体树脂的含量相对于上述纤维素纳米纤维和所述基体树脂的总量为10质量％以下。另外，本发明的气体阻隔性膜的制造方法，具有将纤维素纳米纤维的羟基的氢原子的至少一部分用碳数1～8的酰基进行取代而得到表面改性纤维素纳米纤维、将上述表面改性纤维素纳米纤维用熔融挤出法或溶液浇铸法进行制膜而得到片状基材的工序A和在上述片状基材上形成气体阻隔层的工序B。 | ||
| 搜索关键词： | 气体 阻隔 及其 制造 方法 以及 使用 电子元件 用基板 | ||
【主权项】：
一种气体阻隔性膜，其具有片状基材和在所述片状基材的至少单面形成了的气体阻隔层，所述片状基材为：含有纤维素纳米纤维的羟基的氢原子的至少一部分被碳数1～8的酰基取代了的表面改性纤维素纳米纤维、基体树脂的含量相对于所述纤维素纳米纤维和所述基体树脂的总量为10质量％以下。
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