[发明专利]等离子体产生装置及CVD装置有效

专利信息
申请号: 201280043157.1 申请日: 2012-04-19
公开(公告)号: CN103766001A 公开(公告)日: 2014-04-30
发明(设计)人: 田畑要一郎;渡边谦资 申请(专利权)人: 东芝三菱电机产业系统株式会社
主分类号: H05H1/24 分类号: H05H1/24;C23C16/452;C23C16/505;H01L21/31
代理公司: 中科专利商标代理有限责任公司 11021 代理人: 洪秀川
地址: 日本国*** 国省代码: 日本;JP
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摘要: 发明提供一种能够高效且多量地输出在被处理件上成膜功能绝缘膜中所使用的金属功能物质粒子气体的等离子体产生装置。本发明所涉及的等离子体产生装置100具备:电极单元;围绕电极单元的框体(16)。电极单元具有:第一电极(3);放电空间(6);第二电极(1);电介质(2a、2b);在俯视观察下形成于中央部的贯通口(PH)。并且,圆筒形状的绝缘筒部(21)配设在贯通口(PH)的内部,在该圆筒形状的侧面部具有喷出孔(21x)。此外,等离子体产生装置(100)具备与绝缘筒部(21)的空穴部(21A)连接且用于供给金属前体的前体供给部(201)。
搜索关键词: 等离子体 产生 装置 cvd
【主权项】:
一种等离子体产生装置,其特征在于,所述等离子体产生装置具备:电极单元(1、2a、2b、3);电源部(17),其对所述电极单元施加交流电压;框体(16),其围绕所述电极单元;原料气体供给部(20,75),其从所述框体外部向所述框体内供给原料气体,所述电极单元具有:第一电极(3);第二电极(1),其以形成放电空间(6)的方式与所述第一电极面对面;电介质(2a、2b),其配置在面向所述放电空间的所述第一电极的主面及面向所述放电空间的所述第二电极的主面的至少任一方;贯通口(PH),其在俯视观察下形成于中央部,且沿着所述第一电极与所述第二电极面对面的面对面方向贯通,所述等离子体产生装置还具备:绝缘筒部(21),其呈圆筒形状,配设在所述贯通口的内部,且在该圆筒形状的侧面部具有喷出孔(21x);前体供给部(201),其与所述绝缘筒部的空穴部(21A)连接,且用于供给金属前体。
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