[发明专利]成膜材料、使用该成膜材料的密封膜、及其用途

摘要

本发明涉及使用具有至少一个与硅原子直接键合的仲烃基，且具有氧原子相对于硅原子1为0.5以下的原子比这样的特定结构的有机硅化合物作为原料，以由通过CVD形成的含碳氧化硅形成的膜作为密封膜，用于气体阻隔部件、FPD器件、半导体器件等。

主权项

一种气体阻隔部件，其使用成膜材料并通过化学气相沉积法而成膜的密封膜作为气体阻隔层，所述成膜材料含有下述有机硅化合物，所述有机硅化合物具有至少一个与硅原子直接键合的仲烃基，且具有氧原子相对于硅原子1为0.5以下的原子比，所述有机硅化合物为1,3‑二异丙基二硅氧烷、1,3‑二异丙基‑1,3‑二甲基二硅氧烷、1,3‑二异丙基‑1,1,3,3‑四甲基二硅氧烷、1,3‑二仲丁基二硅氧烷、1,3‑二仲丁基‑1,3‑二甲基二硅氧烷、1,3‑二仲丁基‑1,1,3,3‑四甲基二硅氧烷、异丙基甲基硅烷、异丙基二甲基硅烷、二异丙基硅烷、二异丙基甲基硅烷、三异丙基硅烷、仲丁基硅烷、仲丁基甲基硅烷、仲丁基二甲基硅烷、二仲丁基硅烷、二仲丁基甲基硅烷、三仲丁基硅烷、1,2,3,4‑四异丙基环四硅烷、1,2,3,4,5‑五异丙基环五硅烷、1,2,3,4,5,6‑六异丙基环六硅烷、1,1,2,2,3,3,4,4‑八异丙基环四硅烷、1,1,2,2,3,3,4,4,5,5‑十异丙基环五硅烷、或1,1,2,2,3,3,4,4,5,5,6,6‑十二异丙基环六硅烷。