[发明专利]光电子器件在审
| 申请号： | 201280043632.5 | 申请日： | 2012-08-30 |
| 公开（公告）号： | CN103782398A | 公开（公告）日： | 2014-05-07 |
| 发明（设计）人： | 西梅昂·卡茨;巴斯蒂安·加勒;马丁·斯特拉斯伯格;马蒂亚斯·扎巴蒂尔;菲利普·德雷克塞尔;维尔纳·贝格鲍尔;马丁·曼德尔 | 申请（专利权）人： | 欧司朗光电半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/06 | 分类号： | H01L33/06;H01L33/08;H01L33/18;H01L33/42 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 丁永凡;高少蔚 |
| 地址： | 德国雷*** | 国省代码： | 德国;DE |
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| 摘要： | 提出一种光电子器件（11），其中有源层（10）具有多个横向彼此间隔开的结构元件（6）。结构元件（6）分别具有量子阱结构（5），所述量子阱结构包括：由Inx1Aly1Ga1-x1-y1N构成的至少一个阻挡层，其中0≤x1≤1，0≤y1≤1且x1+y1≤1；和由Inx2Aly2Ga1-x2-y2N构成的至少一个量子阱层（1），其中0≤x2≤1，0≤y2≤1且x2+y2≤1。 | ||
| 搜索关键词： | 光电子 器件 | ||
【主权项】：
一种具有有源层（10）的光电子器件（11），所述有源层（10）具有多个横向彼此间隔开的结构元件（6），其中所述结构元件（6）分别具有量子阱结构（5），所述量子阱结构包括：由Inx1Aly1Ga1‑x1‑y1N构成的至少一个阻挡层（2），其中0≤x1≤1，0≤y1≤1且x1+y1≤1；和由Inx2Aly2Ga1‑x2‑y2N构成的至少一个量子阱层（1），其中0≤x2≤1，0≤y2≤1且x2+y2≤1。
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