[发明专利]用于存储器单元上的选择性字线升压的设备在审
| 申请号： | 201280043879.7 | 申请日： | 2012-09-12 |
| 公开（公告）号： | CN103797538A | 公开（公告）日： | 2014-05-14 |
| 发明（设计）人： | 马尼什·加尔吉;迈克尔·泰坦·潘 | 申请（专利权）人： | 高通股份有限公司 |
| 主分类号： | G11C11/412 | 分类号： | G11C11/412;G11C11/418;G11C11/419;G11C8/16;G11C8/08 |
| 代理公司： | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人： | 宋献涛 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 本发明提供用于选择性地升高存储器单元阵列中的字线WL电压的系统和方法。所述方法依靠若干实施例来最小化与WL升压方案相关联的能量成本。一个实施例产生瞬态电压升高，而不是供应DC电压升高。可在循环基础上控制瞬态升压产生且可在不存取所述阵列时停用瞬态升压产生。另一实施例允许所述系统在本地、在WL驱动器附近且仅在需要所述瞬态电压升高的循环期间产生所述瞬态电压升高。本地化的升压产生减少了需要升高到较高电压的负载电容。另一实施例高效地将所述瞬态升压分布给所述WL驱动器。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 存储器 单元 选择性 升压 设备 | ||
【主权项】：
一种多端口静态随机存取存储器SRAM阵列，其包括：控制逻辑电路，其用以接收瞬态升压；以及本地字线驱动器，其用以在字线转变之后施加所述瞬态升压，以增加字线电压的选定部分。
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