[发明专利]Zn-Si-O系氧化物烧结体及其制造方法和透明导电膜有效
| 申请号： | 201280044506.1 | 申请日： | 2012-07-03 |
| 公开（公告）号： | CN103796970A | 公开（公告）日： | 2014-05-14 |
| 发明（设计）人： | 山野边康德;曾我部健太郎;小泽诚 | 申请（专利权）人： | 住友金属矿山株式会社 |
| 主分类号： | C04B35/453 | 分类号： | C04B35/453;C23C14/08;C23C14/24;C23C14/34;H01B5/14 |
| 代理公司： | 隆天国际知识产权代理有限公司 72003 | 代理人： | 崔香丹;洪燕 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供一种在用于溅射靶时能抑制异常放电等、在用于蒸镀用料片时能抑制飞溅现象的Zn-Si-O系氧化物烧结体及其制造方法等。该Zn-Si-O系氧化物烧结体是以氧化锌作为主要成分且含有Si的Zn-Si-O系氧化物烧结体，其特征在于，Si含量以Si/(Zn+Si)原子数比计为0.1～10原子%，Si元素固溶于纤锌矿型氧化锌相中，且不含有SiO2相和作为硅酸锌（Zn2SiO4）的尖晶石型复合氧化物相。上述烧结体的制造方法的特征在于，在对从作为原料粉末的ZnO粉末和SiO2粉末得到的造粒粉进行成型并对所得到的成型体进行烧成而制造上述烧结体时，包括：在700～900℃的温度范围内以5℃/分钟以上的升温速度升温的工序；以及，在烧成炉内以900℃～1400℃对成型体进行烧成的工序。 | ||
| 搜索关键词： | zn si 氧化物 烧结 及其 制造 方法 透明 导电 | ||
【主权项】：
一种Zn‑Si‑O系氧化物烧结体，其特征在于，在以氧化锌作为主要成分且含有Si的Zn‑Si‑O系氧化物烧结体中，Si含量以Si/（Zn＋Si）原子数比计为0.1～10原子%，Si元素固溶于纤锌矿型氧化锌相中，并且，未含有SiO2相和作为硅酸锌Zn2SiO4的尖晶石型复合氧化物相。
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