[发明专利]图案形成方法、电子束敏感或极紫外线辐射敏感树脂组合物、抗蚀剂膜、使用其的电子器件的制造方法和电子器件

摘要

一种图案形成方法，所述方法以下列顺序包括：步骤(1)：用电子束敏感或极紫外线辐射敏感树脂组合物形成膜，所述电子束敏感或极紫外线辐射敏感树脂组合物含有树脂(A)、化合物(B)和溶剂(C)，所述树脂(A)具有酸分解性重复单元并且能够通过酸的作用降低所述树脂(A)在含有有机溶剂的显影液中的溶解度，所述化合物(B)能够在用电子束或极紫外线辐射照射时产生酸；步骤(2)：用电子束或极紫外线辐射将所述膜曝光；和步骤(4)：在所述膜的曝光之后通过用包含有机溶剂的显影液将所述膜显影而形成阴图型图案，其中基于所述组合物的全部固体含量，所述化合物(B)的含量是21质量％至70质量％。

主权项

一种图案形成方法，所述方法以下列顺序包括：步骤(1)：用电子束敏感或极紫外线辐射敏感树脂组合物形成膜，所述电子束敏感或极紫外线辐射敏感树脂组合物含有树脂(A)、化合物(B)和溶剂(C)，所述树脂(A)具有酸分解性重复单元并且能够通过酸的作用降低所述树脂(A)在含有有机溶剂的显影液中的溶解度，所述化合物(B)能够在用电子束或极紫外线辐射照射时产生酸；步骤(2)：用电子束或极紫外线辐射将所述膜曝光；和步骤(4)：在所述膜的曝光之后通过用包含有机溶剂的显影液将所述膜显影而形成阴图型图案，其中基于所述组合物的全部固体含量，所述化合物(B)的含量是21质量％至70质量％，其中相对于所述树脂(A)中的全部重复单元，由以下式(I)表示的重复单元的含量是4摩尔％以下：其中R₄₁、R₄₂和R₄₃中的每一个独立地表示氢原子、烷基、卤素原子、氰基或烷氧基羰基，并且R₄₂可以与Ar₄结合以形成环，并且在这种情况下，R₄₂表示单键或亚烷基；X₄表示单键、‑COO‑或‑CONR₆₄‑，并且R₆₄表示氢原子或烷基；L₄表示单键或亚烷基；Ar₄表示(n+1)价芳环基，并且当Ar₄与R₄₂一起形成环时，Ar₄表示(n+2)价芳环基；并且n表示1至4的整数。