[发明专利]Mo-W靶材及其制造方法有效
| 申请号： | 201280044707.1 | 申请日： | 2012-09-13 |
| 公开（公告）号： | CN103797153B | 公开（公告）日： | 2016-11-23 |
| 发明（设计）人： | 松本博;马文平;新田纯一;清田淳也;武井应树;坂本纯一 | 申请（专利权）人： | 株式会社爱发科 |
| 主分类号： | C23C14/34 | 分类号： | C23C14/34;B22F1/00;B22F3/15;C22C27/04 |
| 代理公司： | 北京华夏正合知识产权代理事务所(普通合伙) 11017 | 代理人： | 韩登营;栗涛 |
| 地址： | 日本神*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供一种不需进行压延处理就能够提高相对密度的Mo‑W靶材及其制造方法。具体为，将钼粉末在1100℃以上1300℃以下的温度下进行脱氧处理，然后，在经过脱氧处理的所述钼粉末上混合钨粉末，接下来，将所述钼粉末和所述钨粉末的混合粉末以所规定的温度进行加压烧结。由此，能够抑制烧结时的空洞（气孔）的产生，从而促进烧结体的高密度化。因此，根据上述制造方法，由于能够不通过实施压延处理就能够实现烧结体的高密度化，从而能够实现溅射成膜时的膜厚的均匀性。 | ||
| 搜索关键词： | mo 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种Mo‑W靶材的制造方法，其以钼相和钨相的共存相为主体，其特征在于，将钼原料粉末以所规定的尺寸造粒，将造粒后的所述钼原料粉末在1100℃以上1300℃以下的温度下进行脱氧处理，将脱氧处理后的所述钼原料粉末的造粒粉破碎，并调整其最大直径为700μm以下，然后，在经过破碎处理的所述钼原料粉末上混合钨粉末，接下来，将所述钼原料粉末和所述钨粉末的混合粉末以1200℃以上1500℃以下的温度进行加压烧结。
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