[发明专利]低电阻率接触无效
| 申请号： | 201280044859.1 | 申请日： | 2012-08-03 |
| 公开（公告）号： | CN103890985A | 公开（公告）日： | 2014-06-25 |
| 发明（设计）人： | R.J.瑟里恩;J.D.里德;J.A.拉姆齐;A.L.格雷 | 申请（专利权）人： | 弗诺尼克设备公司 |
| 主分类号： | H01L35/10 | 分类号： | H01L35/10 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人： | 马红梅;王忠忠 |
| 地址： | 美国北卡*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 本发明公开了到半导体结构的低电阻率接触的实施例。在一个实施例中，一种半导体结构包括：半导体层；处于半导体层的表面上的、具有低带隙的半导体接触层；以及处于半导体接触层的与半导体层相对的表面上的电极。半导体接触层的带隙在0到0.2电子伏（eV）范围内并且包括0和0.2电子伏，更优选地在0到0.1eV范围内并且包括0和0.1eV，甚至更优选地在0到0.05eV范围内并且包括0和0.05eV。优选地，半导体层是p型。在一个具体实施例中，半导体接触层和电极形成到p型半导体层的欧姆接触，并且由于半导体接触层的低带隙，欧姆接触具有小于1x10-6欧姆·cm2的电阻率。 | ||
| 搜索关键词： | 电阻率 接触 | ||
【主权项】：
一种半导体结构，包括：半导体层；半导体接触层，处于所述半导体层的表面上，所述半导体接触层具有在0到0.2电子伏范围内并且包括0和0.2电子伏的带隙；以及金属电极，处于所述半导体接触层的与所述半导体层相对的表面上。
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