[发明专利]复合基板的制造方法及复合基板无效

专利信息
申请号: 201280045370.6 申请日: 2012-09-21
公开(公告)号: CN103814437A 公开(公告)日: 2014-05-21
发明(设计)人: 高田朋幸;山田永;秦雅彦;前田辰郎;板谷太郎;安田哲二 申请(专利权)人: 住友化学株式会社;独立行政法人产业技术综合研究所
主分类号: H01L21/8238 分类号: H01L21/8238;H01L21/02;H01L21/20;H01L21/205;H01L21/28;H01L27/08;H01L27/092;H01L27/095;H01L27/12;H01L29/417;H01L29/786
代理公司: 中科专利商标代理有限责任公司 11021 代理人: 齐秀凤
地址: 日本*** 国省代码: 日本;JP
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摘要: 发明提供一种具备半导体结晶层的复合基板的制造方法,包括:在半导体结晶层形成基板上依次形成牺牲层及半导体结晶层的步骤;将半导体结晶层形成基板与转印目的基板相贴合,使得半导体结晶层形成基板的第一表面与转印目的基板的要与第一表面相接触的第二表面相面对;将半导体结晶层形成基板及转印目的基板的全部或一部分浸渍于刻蚀液中对牺牲层进行刻蚀,在使半导体结晶层保留在转印目的基板侧的状态下将转印目的基板与半导体结晶层形成基板相分离的步骤。此处,转印目的基板具有非柔性基板和有机物层,有机物层的表面为第二表面。
搜索关键词: 复合 制造 方法
【主权项】:
一种具备半导体结晶层的复合基板的制造方法,包括:在半导体结晶层形成基板上按照牺牲层、半导体结晶层的顺序形成所述牺牲层及所述半导体结晶层的步骤;将所述半导体结晶层形成基板与转印目的基板相贴合,使得作为形成于所述半导体结晶层形成基板上的层的表面的第一表面与作为所述转印目的基板或形成于所述转印目的基板上的层的表面并要与所述第一表面相接触的第二表面相面对的步骤;以及将所述半导体结晶层形成基板及所述转印目的基板的全部或一部分浸渍于刻蚀液中对所述牺牲层进行刻蚀,在使所述半导体结晶层保留在所述转印目的基板侧的状态下将所述转印目的基板与所述半导体结晶层形成基板相分离的步骤;所述转印目的基板具有非柔性基板和有机物层,所述有机物层的表面为所述第二表面。
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