[发明专利]溅射用烧结体氧化镁靶及其制造方法无效
| 申请号： | 201280045787.2 | 申请日： | 2012-12-25 |
| 公开（公告）号： | CN103814152A | 公开（公告）日： | 2014-05-21 |
| 发明（设计）人： | 久野晃;中村祐一郎 | 申请（专利权）人： | 吉坤日矿日石金属株式会社 |
| 主分类号： | C23C14/34 | 分类号： | C23C14/34;C04B35/053 |
| 代理公司： | 中原信达知识产权代理有限责任公司 11219 | 代理人： | 王海川;穆德骏 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： |
一种溅射用烧结体氧化镁靶，其特征在于，除C以外的纯度为99.99重量%以上，并且具有3.57g/cm3以上的密度，白度为60%以下。为了使氧化镁均匀地成膜，需要纯度更高、密度更高的氧化镁靶。本发明的课题在于提供可以实现该目标的靶及其制造方法。另外，虽然对原料粉末进行热压而制造了氧化镁烧结体溅射靶，但存在在靶的中央部的约 |
||
| 搜索关键词： | 溅射 烧结 氧化镁 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种溅射用烧结体氧化镁靶，其特征在于，除C以外的纯度为99.99重量%以上，并且具有3.57g/cm3以上的密度，白度为60%以下。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于吉坤日矿日石金属株式会社，未经吉坤日矿日石金属株式会社许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201280045787.2/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
