[发明专利]发光器件及其制造方法无效
申请号: | 201280045924.2 | 申请日: | 2012-09-04 |
公开(公告)号: | CN103828147A | 公开(公告)日: | 2014-05-28 |
发明(设计)人: | 仓本大;幸田伦太郎;渡边秀辉 | 申请(专利权)人: | 索尼公司 |
主分类号: | H01S5/22 | 分类号: | H01S5/22 |
代理公司: | 北京康信知识产权代理有限责任公司 11240 | 代理人: | 余刚;吴孟秋 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | 本公开提供了一种能够发出单模光束的高输出发光器件。所述发光器件设置有层压结构(20)、第二电极(32)和第一电极(31),所述层压结构本体通过在基板(20')上按顺序层压第一化合物半导体层(21)、活性层(23)和第二化合物半导体层(22)构成。第一化合物半导体层(21)具有从所述基板侧开始的第一包覆层(121A)和第一光导层(121B)的层压构造,以及所述层压结构具有由第二化合物半导体层(22)、活性层(23)以及所述第一光导层在厚度方向上的部分(121B')构成的脊条状结构(20A)。满足6×10-7m<t1以及0(m)<t1'≤0.5·t1,其中第一光导层(121B)的厚度是t1,以及构成所述第一光导层的脊条状结构(20A)的部分(121B')的厚度是t1'。 | ||
搜索关键词: | 发光 器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】:
一种发光器件,包括:层压结构本体,所述层压结构本体通过在底基板上按顺序层压第一导电类型的第一化合物半导体层、由化合物半导体制成的活性层以及不同于所述第一导电类型的第二导电类型的第二化合物半导体层构成;第二电极,形成在所述第二化合物半导体层上;以及第一电极,被配置为电连接到所述第一化合物半导体层,其中,所述第一化合物半导体层具有层压结构,所述层压结构从所述底基板开始按顺序包括第一包覆层和第一光导层,所述层压结构本体具有脊条状结构,所述脊条状结构由所述第二化合物半导体层、所述活性层以及在所述第一光导层的厚度方向上的部分构成,以及满足6×10‑7m<t1以及0(m)<t1'≤0.5·t1,其中,所述第一光导层的厚度是t1,以及所述第一光导层的构成所述脊条状结构的部分的厚度是t1'。
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