[发明专利]制造碳化硅衬底的方法和碳化硅衬底无效
| 申请号： | 201280046517.3 | 申请日： | 2012-10-11 |
| 公开（公告）号： | CN103828027A | 公开（公告）日： | 2014-05-28 |
| 发明（设计）人： | 佐佐木信 | 申请（专利权）人： | 住友电气工业株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/304 | 分类号： | H01L21/304;C30B29/36;C30B33/00 |
| 代理公司： | 中原信达知识产权代理有限责任公司 11219 | 代理人： | 王海川;穆德骏 |
| 地址： | 日本大阪*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明公开了一种制造碳化硅衬底的方法，所述方法包括：准备由单晶碳化硅构成的锭的步骤；通过对所述锭进行切片而得到碳化硅衬底(10)的步骤；以及对所述碳化硅衬底(10)的表面进行研磨的步骤。在所述得到衬底(10)的步骤中，以使得在其中在{0001}面上的正交投影中相对于<11-20>方向或<1-100>方向形成的角为15±5°的方向上进行切割的方式对所述锭(1)进行切片。在所述对所述衬底(10)的表面进行研磨的步骤中，在所述衬底(10)的至少一个主表面(10A、10B)的整个表面与研磨表面(30A、40A)接触的同时，对所述衬底(10)的所述至少一个主表面(10A、10B)进行研磨。 | ||
| 搜索关键词： | 制造 碳化硅 衬底 方法 | ||
【主权项】：
一种制造碳化硅衬底的方法，包括：准备由单晶碳化硅构成并具有2英寸以上的直径的锭(1)的步骤；通过对所述锭(1)进行切片而得到衬底(10)的步骤；以及对所述衬底(10)的表面进行研磨的步骤，在所述得到衬底(10)的步骤中，以使得在其中在{0001}面上的正交投影中相对于<11‑20>方向或<1‑100>方向形成的角为15±5°的方向上进行切割的方式对所述锭(1)进行切片，且在所述对所述衬底(10)的表面进行研磨的步骤中，在所述衬底(10)的至少一个主表面(10A、10B)的整个表面与研磨表面(30A、40A)接触的同时，对所述衬底(10)的所述至少一个主表面(10A、10B)进行研磨。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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