[发明专利]静电吸盘有效
| 申请号： | 201280046774.7 | 申请日： | 2012-09-27 |
| 公开（公告）号： | CN103907181B | 公开（公告）日： | 2016-11-16 |
| 发明（设计）人： | 和田琢真;穴田和辉 | 申请（专利权）人： | TOTO株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/683 | 分类号： | H01L21/683;B23Q3/15;H02N13/00 |
| 代理公司： | 隆天知识产权代理有限公司 72003 | 代理人： | 金相允;浦柏明 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明公开了一种静电吸盘。基于本发明的静电吸盘，具备：陶瓷电介体基板，具有放置被吸附物的第1主面和所述第1主面相反侧的第2主面；电极，设置在所述陶瓷电介体基板的所述第1主面与所述第2主面之间；以及连接部，在所述陶瓷电介体基板的比所述电极更靠所述第2主面侧与所述电极连接，且具有与所述电极接触的第1区域，其中，在将从所述第1主面朝向所述第2主面的方向作为第1方向，将与所述第1方向正交的方向作为第2方向时，所述第1区域在所述电极及所述连接部的所述第2方向上观察的截面上，沿所述电极的所述第2主面侧外形的延长线与所述连接部外形的切线所形成的角度当中所述连接部侧的角度在所述第1方向上逐渐增大。 | ||
| 搜索关键词： | 静电 吸盘 | ||
【主权项】：
一种静电吸盘，具备：陶瓷电介体基板，具有放置被吸附物的第1主面和所述第1主面相反侧的第2主面；电极，设置在所述陶瓷电介体基板的所述第1主面与所述第2主面之间；以及连接部，具有在所述陶瓷电介体基板的比所述电极更靠所述第2主面侧的第1区域，且所述连接部的所述第1区域与所述电极接触，其中，在将从所述第1主面朝向所述第2主面的方向作为第1方向，将与所述第1方向正交的方向作为第2方向时，所述第1区域在所述电极及所述连接部的所述第2方向上观察的截面上，沿所述电极的靠近所述第2主面侧的外形的延长线与所述连接部外形的切线所形成的角度当中所述连接部侧的角度在所述第1方向上逐渐增大。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
