[发明专利]确定补偿硅样品的掺杂剂含量有效
| 申请号： | 201280046818.6 | 申请日： | 2012-07-20 |
| 公开（公告）号： | CN103827661A | 公开（公告）日： | 2014-05-28 |
| 发明（设计）人： | S.杜博依斯;N.恩杰尔伯特;J.维尔曼 | 申请（专利权）人： | 原子能和代替能源委员会 |
| 主分类号： | G01N27/04 | 分类号： | G01N27/04;C30B29/06 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 宋莉 |
| 地址： | 法国*** | 国省代码： | 法国;FR |
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| 摘要： | 确定硅样品中的掺杂剂杂质的浓度的方法包括：提供包括给体类型掺杂剂杂质和受体类型掺杂剂杂质的硅锭，确定其中发生在第一导电性类型和相反的第二导电性类型之间的转变的该锭的第一区域的位置的步骤(F1)，使用霍尔效应、傅立叶变化红外光谱法或者利用载流子寿命的方法测量该锭的与所述第一区域分开的第二区域中的自由载流子的浓度的步骤(F2)，和基于该锭的所述第一区域的位置和所述第二区域中的自由载流子的浓度确定样品中的掺杂剂杂质的浓度的步骤(F3)。 | ||
| 搜索关键词： | 确定 补偿 样品 掺杂 含量 | ||
【主权项】：
用于确定硅样品中的掺杂剂杂质的浓度(NA，ND)的方法，包括以下步骤：‑提供包括给体类型的掺杂剂杂质、硼原子和氧原子的硅锭；‑确定(F1)其中发生在第一导电性类型和相反的第二导电性类型之间的转变的该锭的第一区域的位置(heq)；‑通过监测载流子的寿命(τ)在照射下的变化而测量(F2)在p型的且与所述第一区域不同的该锭的第二区域中的自由载流子浓度(q)；和‑由该锭的所述第一区域的位置(heq)和所述第二区域中的自由载流子浓度(q)确定(F3)该样品中的掺杂剂杂质的浓度。
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