[发明专利]N沟道和P沟道FINFET单元架构有效
| 申请号： | 201280046926.3 | 申请日： | 2012-07-23 |
| 公开（公告）号： | CN103828059A | 公开（公告）日： | 2014-05-28 |
| 发明（设计）人： | J·卡瓦;V·莫洛兹;D·谢勒卡 | 申请（专利权）人： | 美商新思科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京市金杜律师事务所 11256 | 代理人： | 王茂华 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 一种适合用于标准单元库的finFET块架构，该finFET块架构基于如下布置，该布置包括在衬底的具有第一传导性类型的第一区域中的第一半导体鳍集合和在衬底的第二区域中的第二半导体鳍集合，第二区域具有第二传导性类型。被布置于第一和第二半导体鳍集合之上的包括在第一和第二区域中的栅极迹线的图案化的栅极导体层用于晶体管栅极。在栅极导体层之上的图案化的导体层布置于正交布图图案中并且可以包括在第一和第二区域中的鳍之上的多个浮动功率总线。 | ||
| 搜索关键词： | 沟道 finfet 单元 架构 | ||
【主权项】：
一种集成电路，包括：衬底；第一块，包括在所述衬底的第一区域中的半导体鳍的集合，所述第一块包括在所述第一块的相对外侧边缘上的外鳍和在所述外鳍之间的内鳍，所述第一块被布置用于具有第一传导性类型的沟道的器件；第二块，包括在所述衬底的第二区域中的半导体鳍的集合，所述第二块包括在所述第一块的相对外侧边缘上的外鳍和在所述外鳍之间的内鳍，所述第二块被布置用于具有第二传导性类型的沟道的器件；图案化的栅极导体层，包括在所述第一块和所述第二块中的多个栅极迹线；在所述栅极导体层之上的至少一个图案化的导体层；被布置为覆盖在所述第一块和所述第二块中的每个块上面的一个或者多个功率迹线；以及多个层间连接器，其连接半导体鳍、栅极迹线、在所述至少一个图案化的导体层中的迹线和所述一个或者多个功率迹线。
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