[发明专利]具有降低的边缘曲率特征的集成电路器件的制造方法有效
| 申请号： | 201280047774.9 | 申请日： | 2012-09-07 |
| 公开（公告）号： | CN103828023A | 公开（公告）日： | 2014-05-28 |
| 发明（设计）人： | V·莫洛兹;L·博姆霍尔特 | 申请（专利权）人： | 美商新思科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/027 | 分类号： | H01L21/027;H01L21/28 |
| 代理公司： | 北京市金杜律师事务所 11256 | 代理人： | 王茂华;张宁 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 描述了一种诸如集成电路器件之类的结构，其包括具有临界尺寸的材料线，该临界尺寸在基本低于刻蚀所述线时使用的诸如构图的抗蚀剂元件之类的掩膜元件的分布内变化。描述了用于按照使线的刻蚀侧壁表面变直的方式来使用掩膜元件处理晶相材料线的技术，该晶相材料线已经使用掩膜元件进行刻蚀。变直的侧壁表面并不携带在形成掩膜元件和刻蚀线时涉及的光刻技术或其它构图工艺所引入的侧壁表面变化。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 降低 边缘 曲率 特征 集成电路 器件 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种用于制造结构的方法，所述方法包括：形成叠置在晶相材料层之上的掩膜元件，所述掩膜元件具有第一侧壁表面；使用所述掩膜元件作为刻蚀掩膜来刻蚀所述层，由此在由所述第一侧壁表面限定的位置处在所述层中形成第二侧壁表面；以及处理所述刻蚀层以使所述第二侧壁表面变直。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
