[发明专利]用于生产硅单晶和多晶硅锭的方法在审
| 申请号： | 201280048056.3 | 申请日： | 2012-09-24 |
| 公开（公告）号： | CN103975097A | 公开（公告）日： | 2014-08-06 |
| 发明（设计）人： | R.特罗斯塔德;K.弗里伊斯塔德;A.K.索兰德 | 申请（专利权）人： | 埃尔凯姆太阳能公司 |
| 主分类号： | C30B29/06 | 分类号： | C30B29/06;C30B15/00;C30B15/04;C30B28/00 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人： | 张萍;李炳爱 |
| 地址： | 挪威克里*** | 国省代码： | 挪威;NO |
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| 摘要： | 本发明涉及用于当从容器中含有的硅熔体提拉硅单晶和定向固化多晶硅铸锭时增加p-型材料的量的方法，其中硅熔体初始含有0.12ppma至5ppma硼和0.04ppma至10ppma磷。单晶的提拉和多晶硅铸锭的定向固化在低于600mbar的压力下进行，将惰性气体连续供应至硅熔体的表面并从硅熔体的表面连续除去，从而在固化工艺期间从熔融的硅连续除去磷，导致在硅单晶的提拉期间和多晶硅铸锭的定向固化期间硅熔体中硼和磷之间的比例基本上恒定。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 生产 硅单晶 多晶 方法 | ||
【主权项】：
一种用于当从容器中含有的硅熔体提拉硅单晶和定向固化多晶硅锭时增加p‑型材料的量的方法，其中所述硅熔体初始含有0.12 ppma至5 ppma硼和0.04 ppma至10 ppma磷，其特征在于所述单晶的提拉和所述多晶硅锭的定向固化在低于600 mbar的压力下进行，并且将惰性气体连续供应至所述硅熔体的表面并从所述硅熔体的表面连续除去，从而在所述固化工艺期间从熔融的硅连续除去磷，导致在所述硅单晶的提拉期间和所述多晶硅锭的定向固化期间所述硅熔体中硼和磷之间的比例基本上恒定。
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